申请号：201810725395 .X

发明人：郭立强 徐褚 胡永斌 陶剑 丁建宁 程广贵

摘要：本发明涉及神经突触网络技术领域，特指一种具有记忆功能的神经突触网络。根据电容充放电存储信息的原理，给晶体管施加电压，使晶体管导通对电路中的电容进行充电，并通过对该种晶体管进行n×n阵列形式排布，形成具有记忆功能的神经突触网络。其中利用氧化钨作为薄膜晶体管的栅介质层，IZO作为沟道层实现双电层突触晶体管的制作。对双电层突触晶体管进行n×n 阵列形式排布，通过电路连接形成具有记忆功能的神经突触网络。